在特殊應(yīng)用領(lǐng)域，如核電站、醫(yī)療粒子加速器實(shí)驗(yàn)室，環(huán)境中的電離輻射(γ射線、中子等)會對電子系統(tǒng)造成嚴(yán)重?fù)p害，導(dǎo)致器件性能退化、數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)甚至失效。因此，防核輻射加固(Radiation Hardening, RadHard)設(shè)計(jì)是這些防撞器的部分。
 

　　輻射效應(yīng)：
 

　　總劑量效應(yīng)(TID)：長期暴露于低劑量率輻射下，導(dǎo)致MOS管閾值電壓漂移、漏電流增加、光學(xué)器件(如LED、CCD)暗電流增加。
 

　　單粒子效應(yīng)(SEE)：高能粒子撞擊芯片，可能直接導(dǎo)致邏輯翻轉(zhuǎn)、閂鎖(Latch-up)或損傷。
 

　　加固技術(shù)手段：
 

　　器件選型：選用經(jīng)過專門工藝加固的RadHard芯片，如采用SOI(Silicon-On-Insulator)工藝的CMOS器件，其結(jié)構(gòu)中包含的埋氧層能有效隔離輻射誘導(dǎo)的閂鎖效應(yīng)。對于核心MCU和SRAM，需選擇具有EDAC(Error Detection And Correction)或TMR(Triple Modular Redundancy)功能的加固器件。
 

　　電路設(shè)計(jì)加固：
 

　　冗余設(shè)計(jì)：對關(guān)鍵的邏輯電路采用TMR，三個(gè)相同的模塊并行工作，多數(shù)表決輸出，可容忍單個(gè)模塊的SEU故障。
 

　　濾波與屏蔽：在電源輸入端使用抗輻射的LC濾波器和TVS管，控制輻射引起的瞬態(tài)電壓尖峰。在PCB層面，增加屏蔽層(如使用鎘或鎢等高原子序數(shù)材料)來衰減γ射線。
 

　　加固的ADC/DAC：輻射會改變ADC的零點(diǎn)和增益，需要使用帶有片上校準(zhǔn)邏輯的RadHard ADC，并定期進(jìn)行自檢和校準(zhǔn)。
 

　　光學(xué)器件加固：
 

　　選用抗輻射的紅外發(fā)射管和探測器，例如，通過特殊摻雜和封裝工藝，提高其總劑量耐受能力。
 

　　在光纖探頭的連接處，使用抗輻射的陶瓷或金屬密封件，防止輻射引起的材料性能退化導(dǎo)致光耦合效率下降。
 

　　軟件加固：
 

　　看門狗與復(fù)位：使用三重模塊化冗余的看門狗，確保任何單粒子事件導(dǎo)致的程序跑飛都能被及時(shí)糾正。
 

　　數(shù)據(jù)完整性檢查：對所有關(guān)鍵數(shù)據(jù)(如配置參數(shù)、校準(zhǔn)系數(shù))進(jìn)行CRC校驗(yàn)或ECC(Error Correcting Code)校驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)并糾正輻射引起的位翻轉(zhuǎn)。